Innoscience
Wygląd
| Państwo | |
|---|---|
| Siedziba | |
| Data powstania |
2015 |
| Symbol akcji | |
| Strona internetowa | |
InnoScience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (chiń. 英诺赛科(苏州)科技股份有限公司) – chińskie przedsiębiorstwo z branży półprzewodnikowej, specjalizujące się w technologii GaN, z siedzibą w Suzhou[1][2]. Zostało założone w 2015 roku[3].
Przedsiębiorstwo zajmuje się opracowywaniem i produkcją różnego rodzaju produktów opartych na technologii GaN, w tym układów scalonych, płytek półprzewodnikowych oraz modułów, przeznaczonych do zastosowania w elektronice użytkowej, oświetleniu LED, centrach danych i pojazdach napędzanych nową energią[4].
W 2024 roku Innoscience odpowiadało za 29,9% światowego rynku urządzeń zasilających GaN[4].
Przypisy
[edytuj | edytuj kod]- ↑ 英诺赛科公司简介及介绍. Futunn. [dostęp 2025-12-15]. (ang.).
- ↑ INNOSCIENCE Company Profile & Introduction. Moomoo. [dostęp 2025-12-15]. (ang.).
- ↑ Dylan Butts: Chinese ‘GaN’ semiconductor technology pioneer Innoscience dragged into IP dispute in US. South China Morning Post, 2023-07-04. [dostęp 2025-12-15]. (ang.).
- 1 2 Dannie Peng: Luo Weiwei: the former Nasa scientist who became China’s semiconductor trump card. South China Morning Post, 2025-08-29. [dostęp 2025-12-15]. (ang.).
Linki zewnętrzne
[edytuj | edytuj kod]- Oficjalna strona przedsiębiorstwa (ang. • chiń.)